美光扩建NAND闪存工厂但不增产 128层闪存有重大变化

日前美光公司在新加坡举行了Fab 10A工厂启用庆典，包括美光CEO Sanjay Mehrotra在内的高层及合作伙伴、供应商、经销商等500多人参加了活动。

除了美国本土之外，美光公司在新加坡有编号Fab 10的NAND工厂，2016年又在新加坡成立了NAND卓越中心，又扩建了Fab 10晶圆厂的生产能力，新盖了无尘室等生产设施，提高了Fab 10晶圆厂的生产灵活性。

不过在目前NAND闪存价格持续下滑的情况下，美光虽然扩建了新加坡的Fab 10A工厂，但并不打算增产NAND，通过资本开支调整、技术转换等方式，Fab 10厂区的总产能不变。

美光CEO Sanjay Mehrotra还提到了美光NAND闪存路线图的变化，目前96层堆栈的3D闪存已经量产，而在第四代3D闪存上会有重大变化，128层堆栈闪存将会从此前的FG浮栅极技术转向RG替换栅极技术。

在2D闪存时代，各大厂商基本上都是以FG浮栅极技术为主，转向3D闪存之后三星率先使用了CTP电荷陷阱技术，其他厂商也陆续跟进，只有美光、Intel有所不同，双方在3D闪存技术发展上也产生了分歧，据说这就是两家公司在96层堆栈3D闪存之后决定分手、互相独立研发生产的关键，Intel会继续坚持浮栅极。

在美光之外，其他家闪存厂目前没有听说采用RG可替换栅极技术的。