曝三星HBM3芯片未通过英伟达测试：发热严重

快科技5月24日消息，据媒体报道，由于发热严重，三星电子最新研发的高带宽内存HBM芯片在英伟达的测试中未能达标，因此无法被用于英伟达的AI处理器。据了解，受影响的产品涉及三星的HBM3芯片，这是目前人工智能图形处理单元中最常用的第四代HBM标准。

资料显示，HBM3具有更高的带宽和更低的延迟，由于HBM3芯片堆叠在一起，通过短距离、高密度的互连通道进行数据传输，带宽可以达到数百GB/s的级别。HBM3为加快内存和处理器之间的数据移动打开了大门，降低了发送和接收信号所需的功率，并提高了需要高数据吞吐量的系统性能。

不过，实现这一切都不容易，制造这项技术和充分利用它都将面临重大挑战，最大挑战就是发热控制，HBM结构会积聚许多热量，而DRAM与GPU封装在一起会加剧这种情况的发生，这就对散热冷却提出了更多的挑战，迫使制造者需要在时延与散热之间做出抉择，很显然，无论哪一种选择，都将从另一角度上推高总成本。